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台积电昨日宣布,N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户,这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源,可使曝光波长直接降到13.5nm,研发,推动更先进工艺。
EUV光刻技术早在20世纪80年代就已经研发出来,最初计划用于70nm工艺,但光刻机指标一直达不到需求,加之成本居高不下,芯片厂商不得不引入沉浸式光刻、双重乃至多重曝光来开发新工艺。
台积电表示,7nm+的量产速度也是公司史上最快的之一,今年第二季度就已量产,并且在良品率上迅速达到了已经量产1年多的7nm工艺的水平。(来源:快科技)
https://www.leiphone.com/news/201910/X6hvMnZSyheWnF2M.html
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